Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ширина запрещенной зоны и оптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой и видимой области спектра
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать состав x и y данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09<x<0.22, 0.02<y<0.17. PACS: 78.20.Ci, 71.20.Nr
- N.L. Bazhenov, V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, V.F. Movile. ФТП, 22, 1258 (1988)
- K. Takita, N. Uchino, K. Masuda. Semicond. Sci. Technol., 5, S277 (1990)
- G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, M.P. Lisitsa, S.R. Lavoric, A.S. Rakitin, J.W. Tomm, A.P. Litvinchuk. Semicond. Sci. Technol., 14, 187 (1999)
- Н.П. Гавалешко, В.В. Тетеркин, Ф.Ф. Сизов, С.Ю. Паранчич. Неорг. матер., 28, 2276 (1992)
- S. Takeyama, S. Narita. J. Phys. Soc. Japan, 55, 274 (1986)
- О.А. Боднарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Ф. Слонецкий. ФТП, 34, 430 (2000)
- А.М. Андрухив, К.Е. Миронов. Высокочистые вещества, 2, 139 (1993)
- S.N. Ekpenuma, C.W. Myles. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 321 (1989)
- A. Andrukhiv, G. Khlyap, M. Andrukhiv. J. Cryst. Growth, 198/199, 1162 (1999)
- P. Sydorchuk, G. Khlyap, M. Andrukhiv. Cryst. Res. Technol, 36, 361 (2001)
- А.М. Андрухив, О.А. Гадаев, В.И. Иванов-Омский, Э.И. Цидильковский. ФТП, 27, 348 (1993)
- Y.V. Bezsmolnyy. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 458, 461 (2001)
- В.А. Тягай, О.В. Снитко, Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
- P. Koppel. J. Appl. Phys., 57, 1705 (1985)
- T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
- C.K. Williams, T.H. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn. J. Electron. Mater., 7, 639 (1978)
- S.E. Ostapov, O.A. Bodnaruk, I.N. Gorbatiuk, I.M. Rarenko. School-Conf. PPMSS (Chernivtsi, Ruta, 1995)
- G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
- K. Joswikowski, A. Rogalski. Infrared Phys., 28, 101 (1988)
- J. Lee, N.G. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. Phys. Rev. B, 49, 668 (1994)
- R. Granger. Properties of Narrow Gap Semiconductors, ed. P. Capper (London, INSPEC, IEE, 1994)
- L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29, 6752 (1984)
- E.M. Larramendi, E. Puron, O. de Melo. Semicond. Sci. Technol., 17, 8 (2002)
- А.И. Белогорохов, Ю.А. Пусеп. Препринт ИФП СО РАН, N 13, 1 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
