Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в p-CdZnTe

Пляцко С.В.¹, Рашковецкий Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< E_g и плотностью мощности W, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) с низкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия и W, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. В стабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv

А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. ФТП, 33 (5), 549 (1999)
H.R. Vydyanath, J. Ellsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Neugebauer, J. Sepich, P.K. Liao. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1476 (1992)
Li Wanwan, Sang Wenbiv, Min Jigua, Fang Yu, Bin Zhang, Kunsu Wang. Semicond. Sci. Technol., 17, 155 (2002)
R. Triboulet, A. Durand, P. Gall, J. Bonaffe, J.P. Fillard, S.K. Krawczyk. J. Cryst. Growth, 117, 227 (1992)
Li Yujie, Jie Wanqil. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 10 183 (2002)
Yu.S. Gromovoj, F.F. Sizov, S.V. Playtsko, S.D. Darchuk. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 6625 (1989)
В.П. Кладько, С.В. Пляцко. Письма ЖТФ, 22 (2), 32 (1996)
С.В. Пляцко, В.П. Кладько. ФТП, 31 (10), 1206 (1997)
С.В. Пляцко. ФТП, 36 (6), 666 (2001)
А.Р. Лубченко, В.Н. Павлович. Препринт ИТФ АН УССР (Киев, 1976)
I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Technol., 17, 1064 (2002)
С.В. Пляцко. ФТП, 34 (9), 1046 (2000)
J. Zizine. In: Radiation effects in semiconductors, ed. by F.L. Vook (Plenum, N.Y., 1968) p. 186
Ж. Бургуен, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985). [Пер. с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. II. Experimental aspects, ed. by M. Cardona (Berlin Helderberg--N.Y., Springer--Verlag, 1983)]
А.И. Белогорохов. ФТТ, 34 (4), 1045 (1992)
P.M. Amirtharai, F.N. Pollak. Appl. Phys. Lett., 45 (7), 789 (1984)
X. Mathev. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 76, 225 (2003)
T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
М. Лано, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: J Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. I. Theoretical aspects, ed. by M. Cardona (Berlin--Helderberg--N.Y., Springer--Verlag, 1981)]
V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A, 45, 543 (1978)
G.F. Neumark. J. Appl. Phys., 51, 3383 (1980)
E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnear. Phys. Rev. B, 30, 3334 (1984)
J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41, 12 035 (1990)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979) с. 48
T.J. Magee, J. Peng, J. Bean. Phys. Status Solidi A, 27, 557 (1975)
F.A. Selim, V. Svaminathan, F.A. Kroger. Phys. Status Solidi A, 29, 465 (1975)
Y. Zidon, Jihua Yang, Yoram. Appl. Phys. Lett., 81 (3), 436 (2002)
J.R. Heffelfinger, D.L. Madlin, R.B. James. Mater. Res. Soc., 487, 33 (1998)
A.E. Rakhshani, Y. Makdisi. Phys. Status Solidi A, 179, 213 (2000)
A.E. Rakhshani. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 9115 (1999)
M. Fiederle, D. Ebling, C. Eiche, D.M. Hofma, M. Salk, W. Stadler, K.W. Benz, B.K. Mayer. J. Cryst. Growth, 138, 529 (1994)
А.М. Прохоров, П.М. Томчук, Р.Д. Федорович, Н.И. Чаплиев, В.А. Яковлев. Препринт 291, ИОФ АН СССР (М., 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель