Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< E_g и плотностью мощности W, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) с низкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия и W, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. В стабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.