Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов
Мокеров В.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Юцене В.2
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до 35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
- В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Л.Е. Велиховский, М.Ю. Щербакова. Докл. РАН, 375, 754 (2000). [V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikhovskii, M.Yu. Scherbakova. Dokl. Phys., 45, 649 (2000)]
- V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikhovskii, M.Yu. Scherbakova. Nanotechnology, 12, 552 (2001)
- В.Г. Мокеров, Ю.К. Пожела, Ю.В. Федоров. ФТП, 37, 1248 (2003). [V.G. Mokerov, Yu.K. Pozela, Yu.V. Fedorov. Semiconductors, 37, 1217 (2003)]
- Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 4720 (2006)
- D. Delagebeaudeuf, N.T. Linh. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 955 (1982)
- K. Lee, M. Shur, T.J. Drummond, H. Morkoc. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-30, 207 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук