Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя

Бойко А.М.¹, Сурис Р.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 августа 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома - "двойку", слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa

Y. Tokura, H. Saito, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 94, 46 (1989)
G.S. Bales, A. Zangwill. Phys. Rev. B, 41, 5500 (1990)
И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
O. Pierre--Louis, M.R. D'Orsogna, T.L. Einstein. Phys. Rev. B, 82 (18), 3661 (1999)
N.C. Bartelt, T.L. Einstein, Ellen D. Williams. Surf. Sci. Lett., 240, L591 (1990)
H. Emmerich. Phys. Rev. B, 65, 233 406 (2002)
В.В. Воронков. Кристаллография, 15, 13 (1970)
В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32 (7), 1323 (1998)
V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1154 (1999)
V.P. Evtikhiev, A.M. Boiko, I.V. Kudryashov, R.A. Suris, A.N. Titkov, V.E. Tokranov. Solid-State Technol., 17, 545 (2002)
W. Burton, N. Cabrera, F. Frank. Phil. Trans. A, 243, 299 (1951)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель