Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
2Optoelectronics Institute, P.O. Box 030, Luoyang, Henan, People's Republic of China
2Optoelectronics Institute, P.O. Box 030, Luoyang, Henan, People's Republic of China
Поступила в редакцию: 1 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Исследованы фоточувствительные в области 0.5-1.7 мкм фотодиоды, полученные вакуумным магнетронным распылением слоя ITO (SnO2+In2O3) на поверхность монокристалла Hg3In2Te6. Измеренные электрические характеристики при температурах 265-333 K свидетельствуют о термоэлектронном механизме переноса заряда в исследуемых диодах. Вольт-амперная характеристика и ее температурные изменения находят количественное описание на основе энергетической диаграммы и найденных параметров гетероперехода. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dn
- А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.Р. Тевс. ЖТФ, 60, 146 (1990)
- А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60, 188 (1990)
- Л.А. Косяченко, С.Ю. Паранчич, В.Н. Макогоненко, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.И. Герман. ЖТФ, 73 (5), 126 (2003)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С.Герасименко. ФТП, 33 (12), 1416 (1999)
- Г.Г. Грушка, Н.П. Гавалешко, З.М. Грушка, В.В. Буковей. Неорг. матер., 27 (12), 154 (1991)
- Г.Г. Грушка, З.М. Грушка, Н.П. Гавалешко. УФЖ, 30 (2), 304 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
