Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур с электронными delta-легированными слоями

Хабаров Ю.В.¹, Капаев В.В.², Петров В.А.³, Галиев Г.Б.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 15 августа 2005 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре 77 K фотолюминесценция структуры на основе GaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектра ФЛ от вариации двух параметров - расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt

Ю.В. Хабаров. Пат. РФ N 2168238 (2001)
Ю.В. Хабаров. ФТП, 37 (3), 339 (2003)
Ю.В. Хабаров, В.В. Капаев, В.А. Петров. ФТП, 38 (4), 455 (2004)
W.M. Zheng, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, M.J. Steer. Appl. Phys. Lett., 84, 735 (2004)
S.M. Landi, C.V.-B. Tribuzy, P.L. Souza, R. Butendeich, A.C. Bittencourt, G.E. Marques. Phys. Rev. B, 67, 085304-/1 (2003)
A. Cavalheiro, E.C.F. da Silva, A.A. Quivi, E.K. Takahashi, S. Martini, M.J. da Silva, E.A. Meneses, J.R. Leite. J. Phys.: Condens. Matter., 15, 121 (2003)
E. Ozturk, I. Sokmen. Superlat. Microstruct., 35, 95 (2004)
J. Osvald. Physica E, 23, 147 (2004)
E. Ozturk, H. Sari, V. Erdun, I. Sokmen. Physica B, 334, 1 (2003)
В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, В.Г. Мокеров, А.П. Сеничкин, А.С. Бугаев, А.Л. Карузский, А.В. Пересторонин, R.T.F. van Scyaijk, A. de Visser. ФТП, 33 (7), 839 (1999)
J.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. van Vleuten, J.H. Woller, A.M. Frens. Semicond. Sci. Technol., 6, 1079 (1991)
J. Vagner, A. Fischer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 42, 7280 (1990-1).
А.М. Васильев, П.С. Копьев, М.Ю. Надточий, В.М. Устинов. ФТП, 23 (12), 2133 (1998)
В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, Ю.В. Хабаров. ДАН, 367 (1), 40 (1998)
J. Wagner, A. Fischer, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 59 (4), 482 (1991)
A.C. Maciel, M. Tatham, J.F. Ryan, J.M. Worlok, R.E. Nahori, J.P. Harbison, L.T. Florez. Surf. Sci., 228 (1--3), 251 (1990)
B. Ullrich, X. Zhang, K. v. Klitzing. Appl. Phys. Lett., 54 (12), 1123 (1989)
A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev, D.I. Lubishev, V.P. Migal, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semiagin. Superlatt. Microstruct., 10 (4), 399 (1991)
Er-Xuan Ping, V. Dalal. J. Appl. Phys., 74 (9), 5349 (1993)
G.M. Sipahi, R. Enderlein, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, E.C.F. da Silva, A. Levine. Phys. Rev. B, 57, 9168 (1997)
R. Enderlein, G.M. Sipahi, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, I.F.I. Diaz. Mater. Sci. Eng. B, 35, 396 (1995)
G.M. Sipahi, R. Enderlein, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite. Phys. Rev. B, 53, 9930 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель