Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах
Грушко Н.С.1, Логинова Е.А.1, Потанахина Л.Н.1
1Ульяновский государственый университет, Ульяновск, Россия, www.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Предложены способы определения параметров уровней (энергий и коэффициентов захвата электронов и дырок), участвующих в формировании рекомбинационного потока, рассмотрены температурные зависимости этих параметров для структур AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC. Определены параметры уровней, участвующих в процессах туннельной рекомбинации. PACS: 73.63.Hg, 73.40.Gk
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Завод. лаб., N 7, 25 (1997)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31 (9), 1146 (1997)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. ФТП, 32 (10), 1193 (1998).
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118 (11), 1222 (2000)
- Н.С. Грушко, А.В. Лакалин, Д.А. Андреев. В сб.: Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред (УлГУ, Ульяновск, 2001) с. 73
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
