Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО Иоффе-ЛЕД, Санкт-Петербург, Россия
2ООО Иоффе-ЛЕД, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса-Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb. PACS: 85.60.Jb, 78.40.Fy
- J.G. Crowder, T. Ashley, C.T. Elliott, G.J. Pryce, A.D. Johnson. Electron. Lett., 36, 1867 (2000)
- T. Ashley, D.T. Dutton, C.T. Elliott, N.T. Gordon, T.J. Phillips. Proc. SPIE, 3289, 43 (1998)
- B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650 (Photodetector Mater. and Dev. VII) 173 (2002)
- B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N.D. Il'inskaya, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron, 150, 356 (2003)
- Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, В.В. Шустов, ФТП, 35, 371 (2001)
- R.L. Petritz. Phys. Rev., 100, 1254 (1958)
- А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993)
- О. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38, 1270 (2004)
- H. Benistry, H. De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant. Electron., 34, 1612 (1998)
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79, 4228 (2001)
- Ж.И. Алферов, А.Т. Гореленок, И.Г. Груздов, А.Г. Джигасов, Н.Д. Ильинская, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. Письма ЖТФ, 8 (5), 257 (1982)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 40 (6), 717 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
