Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощный импульсный повышающий преобразователь на нитрид-галлиевых транзисторах
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, 075-15-2024-558
Шершунова Е.А.
1, Мошкунов С.И.
1, Хомич В.Ю.
1, Иголкин А.А.
2
1Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
2Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
Email: eshershunova@ieeras.ru, serg-moshkunov@yandex.ru, khomich@ras.ru, igolkin.aa@ssau.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2025 г.
Принята к печати: 23 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.
Разработан и успешно протестирован модуль силового импульсного повышающего преобразователя напряжения постоянного тока с напряжением на выходе 130 В мощностью 3 кВт с рабочей частотой 100 кГц на нитрид-галлиевых полевых транзисторах. Проведен расчет мощности потерь на элементах силового преобразователя, согласно которому основным механизмом потерь является нагрев кристалла вследствие проводимости. При работе на максимальную мощность экспериментально получен кпд преобразователя 98.5 %, что хорошо совпадает с расчетом. Ключевые слова: преобразователь напряжения, летательные аппараты, нитрид-галлиевые транзисторы, потери мощности.
- B.J. Brelje, J.R. Martins. Progr. Aerospace Sci., 104, 1 (2019). DOI: 10.1016/j.paerosci.2018.06.004
- T. Lei, Z. Min, Q. Gao, L. Song, X. Zhang. Energies, 15 (11), 4109 (2022). DOI: 10.3390/en15114109
- M.A. Rendon, R.C.D. Sanchez, M.J. Gallo, A.H. Anzai. J. Control, Automation and Electrical Systems, 32 (5), 1244 (2021). DOI: 10.1007/s40313-021-00740-x
- А.А. Бельмесов, Л.В. Шмыглева, А.А. Баранов, А.В. Левченко. Успехи химии, 93 (6), 6 (2024). DOI: 10.59761/RCR5121
- A.A. Ferreira, J.A. Pomilio, G. Spiazzi, Silva L de Araujo. IEEE Trans. Power Electron., 23 (1), 107 (2008). DOI: 10.1109/TPEL.2007.911799
- Understanding Boost Power Stages in Switch Mode, Application Report (Texas Instruments, March 1999)
- С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич, Е.А. Шершунова. Письма ЖТФ, 46 (15), 22 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.15.49743.18139
- А.Н. Варюхин, М.В. Гордин, А.В. Дутов, С.И. Мошкунов, В.Ю. Хомич, Е.А. Шершунова. Прикл. физика, 1, 75 (2021). DOI: 10.51368/1996-0948-2021-1-75-81
- А. Колпаков. Компоненты и технологии, 18, 46 (2002)
- С.Л. Корякин-Черняк, О.Н. Партала, Ю.Н. Давиденко, В.Я. Володин. Электротехнический справочник (СПб., Наука и техника, 2009) с. 456
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
