Рассмотрены физические процессы, происходящие в полевых транзисторах при лавинном пробое, в том числе приводящие к их разрушению. Доминирующим является тепловой механизм разрушения, которое происходит, когда температура кристаллической решетки превышает собственную температуру полупроводника. Предложена методика расчета пиковой температуры решетки при лавинном пробое, что позволяет оценить порог энергии лавинного пробоя, выше которого происходит разрушение транзистора. Разработана установка для испытания полевых транзисторов при энергии лавинного пробоя от 0.5 мДж до 2.5 Дж. Установка позволяет определять вероятный механизм разрушения, а использованные схемотехнические решения позволяют тестировать как корпусированные полевые транзисторы, так и чипы на еще не разрезанной полупроводниковой пластине. Ключевые слова: лавинный пробой, MOSFET и IGBT транзисторы, тепловое разрушение полупроводниковых приборов, испытательное оборудование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.