Исследованы вольт-амперные характеристики и карты электролюминесценции четырех AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей, отличающихся конструкцией контактных сеток. Показано, что сравнительный анализ вида карты электролюминесценции позволяет определить, как изменяется процесс растекания тока как внутри полупроводниковых слоев (растекание между контактными полосками), так и внутри металлических контактов. Характеристики всех образцов были проанализированы разработанным ранее методом с применением трубковой модели растекания тока. Для всех фотоэлектрических преобразователей были определены токи насыщения, слоевое сопротивление растекания, а также сопротивление металлических контактов. Полученные значения согласовались с отличиями, заложенными при проектировании контактных сеток фотоэлектрических преобразователей. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, солнечные элементы, сопротивление растекания, сопротивление контактов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.