Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии
Середин Б.М.
1, Попов В.П.
1, Малибашев А.В.
1, Степченко А.Д.
1, Заиченко А.Н.
1
1Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова Новочеркасск, Россия
Email: seredinboris@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 17 июля 2025 г.
Принята к печати: 18 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 24 сентября 2025 г.
Система дискретных линейных зон в виде ортогональной сетки пересекающихся прямолинейных зон, колец или квадратов при их термомиграции через пластину кремния формирует эпитаксиальные каналы, образующие сквозные замкнутые ячейки, востребованные силовой электроникой. Экспериментальные исследования выявили специфические дефекты в виде бугорков шарообразной формы на стартовой поверхности зон. Наличие таких дефектов нарушает заданную топологию каналов, делает невозможным постмиграционную обработку. Установлены причины возникновения указанных дефектов и предложен способ их эффективного устранения с помощью тонкого слоя углерода в виде сажи. Ключевые слова: термомиграция, сквозные каналы, дефекты, сажа.
- H.Е. Cline, Т.R. Anthony. J. Appl. Phys., 47 (6), 2332 (1976). DOI: 10.1063/1.323009
- M. Chang, R.J. Kennedy. Electrochem Soc., 128 (10), 2193 (1981). DOI: 10.1149/1.2127216
- B. Morillon. Etude de la thermomigration de l'aluminium dans le silicium pour la realisation industrielle de murs d'isolation dans les composants de puissance bidirectionnels (Micro and Nanotechnologies/Microelectronics, INSA de Toulouse, 2002) p. 222
- O.S. Polukhin, V.V. Kravchina. Technol. Design Electronic Equipment, 1-2, 34 (2023). DOI: 10.15222/TKEA2023.1-2.34
- B. Lu, G. Gautier, D. Valente, B. Morillon, D. Alquier. Microelectron. Eng., 146, 97 (2016). DOI: 10.1016/j.mee.2015.10.004
- A. Audebert, B. Morillon, B.L. Borgne, G. Gautier. In 2024 Int. Semiconductor Conf. (CAS), ed. by G. Brezeanu, O. Buiu Sinaia, M.L. Ciurea, D. Cristea, M.A. Dinescu, D. Dobrescu, M. Dragoman, C. Kusko, C. Moldovan, A. Muller, R. Muller, D. Neculoiu. In Romania (Sinaia, 2024) v. 47, p. 185. DOI: 10.1109/CAS62834.2024.10736804
- Б.М. Середин, В.П. Попов, А.Н. Заиченко, А.В. Малибашев, И.В. Гаврус, А.А. Минцев, А.А. Скиданов. ФТТ, 65 (12), 2051 (2023). DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56720.4914k
- B.M. Seredin, V.P. Popov, A.V. Malibashev, I.V. Gavrus, S.M. Loganchuk, S.Y. Martyushov. Silicon, 16, 3453 (2024). DOI: 10.1007/s12633-024-02921-0
- Б.М. Середин, В.П. Попов, А.В. Малибашев, А.Н. Заиченко, И.В. Гаврус, А.А. Скиданов. Патент на изобретение RU 2 805 459 C1
- В.Н. Лозовский, В.П. Попов, А.В. Балюк, А.М. Добкина. Неорг. матер., 27 (9), 1790 (1991)
- В.П. Зуев, В.В. Михайлов. Производство сажи (М., Химия, 1965) с. 7
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
