Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe
Метелева Ю.В.1, Новиков Г.Ф.1
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Поступила в редакцию: 30 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами 10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9 и 36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опыта T и интенсивности падающего освета I. На пленках, полученных при Ts<400oC, наблюдалась кинетика гибели 1-го порядка. При T>450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинах I, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс. PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p
- Properties of Wide Bandgap II-VI Semiconductors, ed. by R. Bhargava (INSPEC Publications. London, 1997)
- P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, I.S. Mulla. Semicond. Sci. Technol., 19, 70 (2004)
- V.M. Garcia, M.T.S. Nair, P.K. Nair, R.A. Zingaro. Semicond. Sci. Technol., 11, 427 (1996)
- M.E. Hernandez Torres, R. Silva-Gonzalez, H. Havarro-Conteras, M.A. Vidal, J.M. Gracia-Jimenez. Modern Phys. Lett. B, 15, 741 (2001)
- E. Lifshitz, I. Dag, I. Litvin, G. Hodes, S. Gorer, R. Reisfeld, M. Zelner, H. Minti. Chem. Phys. Lett., 288, 188 (1998)
- S.J. Lade, M.D. Uplane, M.M. Uplane, C.D. Lokhande. J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, 9, 477 (1998)
- V. Swaminathan, V. Subramanian, K.R. Murali. Thin Sol. Films, 359, 113 (2000)
- G. Perna, V. Capozzi, S. Pagliara, M. Ambrico. Thin Sol. Films, 387, 208 (2001)
- S. Grabtchak, M. Cocivera. J. Appl. Phys., 79, 786 (1996)
- G.F. Novikov, B.I. Golovanov, A.V. Chukalin, N.A. Tikhonina. Sci. Appl. Photo, 39 (4), 313 (1998)
- С.Ю. Грабчак, Г.Ф. Новиков, Л.С. Моисеева, М.Р. Любовский, М.В. Алфимов. Журн. науч. и прикл. фотографии, 35 (2), 134 (1990)
- U. Pal, D. Samanta, S. Ghorai, B.K. Samantaray, A.K. Ghaudhuri. J. Phys. D: Appl. Phys., 25, 1488 (1992)
- Р.Х. Бьюб. Физика и химия соединений AIIBVI (М., Мир, 1970)
- V. Kumar, T.P. Sharma. J. Phys. Chem. Sol., 59 (8), 1321 (1998)
- S.Kr. Sharma, S. Kumar, V. Kumar, T.P. Sharma. Opt. Mater., 13, 261 (1999)
- Amorphous and Liquid Semiconductors, ed. by J. Tauc (N. Y., Plenum Press, 1974)
- T.P. Sharma et al. C.S.I.O. Communication, 19 (3--4), 63 (1992)
- Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов. Хим. физика, 20 (7), 30 (2001)
- Ю.В. Метелева, А.В. Наумов, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов, Г.Ф. Новиков. Хим. физика, 20 (9), 39 (2001)
- В.Н. Семенов, А.В. Наумов. Вестн. ВГУ. Сер. химия, биология, 2, 50 (2000)
- G.F. Novikov, B.I. Golovanov. J. Imaging Sci., 39 (6), 520 (1995)
- A.V. Tataurov, Yu.V. Meteleva, N.L. Sermakasheva, G.F. Novikov. Russian Chem. Bull., Int. Edition, 52 (5), 1201 (2003)
- Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, М.В. Алфимов. Химия высоких энергий, 29 (6), 429 (1995)
- Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, Н.А. Тихонина. Изв. АН. Сер. хим., 9, 2234 (1996)
- M. Gardona, G. Harbeke. Phys. Rev. A, 1237, 1467 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
