Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Две серии полос "дислокационной" фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия

Тарбаев Н.И.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 27 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий - "дислокационной" фотолюминесценции. Получены спектральное распределение "дислокационных" полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях (111) и (001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при 841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура, - Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при 806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji

H. Nakagava, K. Maeda, S. Takeuchi. J. Phys. Soc. Japan, 49, 1909 (1980)
С.В. Лубенец, Л.В. Фоменко. ФТТ, 33, 145 (1989)
Н.И. Тарбаев, Ю. Шрайбер, Г.А. Шепельский. ФТТ, 31, 1348 (1989)
H.S. Leipner, J. Schreiber, H. Unievski, S. Hildebrant. Scanning Microscopy, 11, 149 (1998)
J. Schreiber, L. Yuring, H. Unievski, S. Hildebrant, H.S. Leipner. Phys. Status Solidi A, 171, 89 (1999)
В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 21, 1043 (1987)
C. Diaz-Guerra, U. Pal, P. Fernandes, J. Piqueras. Phys. Status Solidi A, 147, 75 (1995)
A. Orlova, B. Sieber. Acta Metall., 32, 1045 (1984)
E. Hall, J.B. Vander-Sande. J. Amer. Ceram. Soc., 61, 417 (1978)
H. Iwanaga, A. Tomizuka, N. Shibata, M.Mochezuki. J. Cryst. Growth, 74, 113 (1986)
Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский, Е.А. Сальков. Письма ЖЭТФ, 66 (10), 639 (1997)
Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский. ФТП, 32, 646 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель