Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Никитин В.Г.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In-GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In-GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на 1 см2 площади контактов (107-108) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (108 см-2). PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
- E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)
- A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
- F. Ren, C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, S.M. Donovan, J.D. MacKenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, K.A. Jones. J. Vac. Sci. Technol. A, 15 (3), 802 (1997)
- Dae-Woo Kim, Hong Koo Baik. Appl. Phys. Lett., 77 (7), 1011 (2000)
- A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
- T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
- S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
- H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
- K. Ip, Y.W. Heo, K.H. Baik, D.P. Norton, S.J. Pearton, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 544 (2004)
- L.L. Smith, R.F. Davis, M.J. Kim, R.W. Carpenter, Y. Huang. J. Mater. Res., 11 (9), 2257 (1996)
- L.F. Lester, J.M. Brown, J.C. Ramer, L. Zhang, S.D. Hersee, J.C. Zolper. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2737 (1996)
- Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (N.Y., John Wiley and Sons, 2001)
- H. Morko c, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
- M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 64, 1003 (1994)
- S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstracts of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
- J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
- Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 68 (12), 1672 (1996)
- Changzhi Lu, Hongnai Chen, Xiaoliang Lv, Xuesong Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
- K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. J. Appl. Phys., 80 (8), 4467 (1996)
- S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
- J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
- Joon Seop Kwak, Ok-Hyun Nam, Yongjo Park. J. Appl. Phys., 95 (10), 5917 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolani, H. Morko c, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
- W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68 (22), 3144 (1996)
- J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67 (3), 2657 (1995)
- E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94 (12), 7611 (2003)
- E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 535 (2004)
- Chin-Yuan Hsu, Wen-How Lan, Yew Chung Sermon Wu. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7424 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.