Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN

Бланк Т.В.¹, Гольдберг Ю.А.¹, Константинов О.В.¹, Никитин В.Г.¹, Поссе Е.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 февраля 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In-GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In-GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на 1 см² площади контактов (10⁷-10⁸) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (10⁸ см^-2). PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns

E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)
A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
F. Ren, C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, S.M. Donovan, J.D. MacKenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, K.A. Jones. J. Vac. Sci. Technol. A, 15 (3), 802 (1997)
Dae-Woo Kim, Hong Koo Baik. Appl. Phys. Lett., 77 (7), 1011 (2000)
A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
K. Ip, Y.W. Heo, K.H. Baik, D.P. Norton, S.J. Pearton, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 544 (2004)
L.L. Smith, R.F. Davis, M.J. Kim, R.W. Carpenter, Y. Huang. J. Mater. Res., 11 (9), 2257 (1996)
L.F. Lester, J.M. Brown, J.C. Ramer, L. Zhang, S.D. Hersee, J.C. Zolper. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2737 (1996)
Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (N.Y., John Wiley and Sons, 2001)
H. Morko c, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 64, 1003 (1994)
S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstracts of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 68 (12), 1672 (1996)
Changzhi Lu, Hongnai Chen, Xiaoliang Lv, Xuesong Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. J. Appl. Phys., 80 (8), 4467 (1996)
S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
Joon Seop Kwak, Ok-Hyun Nam, Yongjo Park. J. Appl. Phys., 95 (10), 5917 (2004)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolani, H. Morko c, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68 (22), 3144 (1996)
J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67 (3), 2657 (1995)
E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94 (12), 7611 (2003)
E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 535 (2004)
Chin-Yuan Hsu, Wen-How Lan, Yew Chung Sermon Wu. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7424 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель