Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова 
Поступила в редакцию: 18 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS: 71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
- В.С. Коваль, А.В. Любченко, И.В. Потыкевич, А.В. Федоров. ФТП, 10, 41 (1976)
- В.С. Вавилов, В.С. Коваль, В.Г. Негрий, И.В. Потыкевич. ФТП, 6, 281 (1972)
- А.Ю. Камерцель, Г.А. Кудинцева, И.Г. Стамов, Н.Н. Сырбу. ФТП, 19, 28 (1985)
- В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
- С.И. Берил, А.С. Старчук. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, N 5, 46 (2002)
- В.Н. Абакумов, В.П. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 30, 2498 (1982)
- О.В. Курносова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 26, 3307 (1984)
- А.Н. Король, В.И. Стриха, Д.И. Шека. ФТП, 14, 1180 (1980)
- В.Ф. Баранов, И.Г. Стамов. ЖПС, 29, 154 (1986)
- N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 51, (7), 515 (1984)
- N.T. Bagraev. Sol. St. Commun., 95 (6), 365 (1995)
- Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100 (4), 1378 (1991)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- E. Schibli, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 11, 323 (1968)
- А.С. Шеулин, А.К. Купчиков, А.Е. Андервакс, А.И. Рыскин. ФТП, 38, 72 (2004)
- С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, Д.П. Пищиков, В.Б. Лазарев. Изв. вузов. Неорг. матер., 28, 1813 (1992)
- И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. Матер. 2-й Межд. конф. по физике электронных материалов (Калуга, Россия, 2005) т. 1, с. 161
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
