Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов и нейтральных частиц в изолирующем слое на поверхности полупроводника

Гольдман Е.И.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 10 октября 2005 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. В растворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv

А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М.: Наука, 1974)
J.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
Г.Н. Гайдуков, Б.Я. Лобов. ФТТ, 21, 1701 (1979)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 933 (1999)
E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89, 130 (2001)
A.L. Roitburd. Sol. St. Phys., 33, 317 (1978)
Е.И. Гольдман. ФТП, 34, 984 (2000)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1, с. 315
М.В. Федорюк. Метод перевала (М., Наука, 1977)
T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
Под ред. М.П. Шаскольской. Акустические кристаллы (М., Наука, 1982)
А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO₂ на кремнии (Изд-во ЛГУ, 1988) с. 55
А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 54 (1993)
Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57 (12), 783 (1993)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.Н. Пономарев. ФТП, 28, 1947 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель