Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As₂Se₃ и (As₂S₃)_0.3(As₂Se₃)_0.7

Бурдиян И.И.¹, Сенокосов Э.А.¹, Косюк В.В.¹, Пынзарь Р.А.¹

¹Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Поступила в редакцию: 16 января 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As₂Se₃ и (As₂S₃)_0.3(As₂Se₃)_0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легировании Ho в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрации Ho до 0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от 1.88 до 1.85 эВ для As₂Se₃ и от 2.05 до 2.00 эВ для (As₂S₃)_0.3(As₂Se₃)_0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg

М. Йову, С. Шутов, М. Попеску, Л. Кухонен, А. Седов. J. Optoelectron. Avd. Mater., 1 (2), 15 (1999)
И.И. Бурдиян, В.В. Косюк, Р.А. Пынзарь, А.В. Чебан. Вестн. Приднестров. ун-та, 3, 44 (2005)
И.В. Фекешгази, К.В. Май, Н.И. Мателешко, В.М. Мица, Е.И. Бокач. ФТП, 39 (8), 986 (2005)
И.С. Фещенко. Автореф. канд. дис. (Тирасполь, 2002)
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (М., Наука, 1996) с. 41
Оптические свойства полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1988) с. 93

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель