Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7
Бурдиян И.И.1, Сенокосов Э.А.1, Косюк В.В.1, Пынзарь Р.А.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Поступила в редакцию: 16 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Исследовалось влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легировании Ho в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрации Ho до 0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от 1.88 до 1.85 эВ для As2Se3 и от 2.05 до 2.00 эВ для (As2S3)0.3(As2Se3)0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg
- М. Йову, С. Шутов, М. Попеску, Л. Кухонен, А. Седов. J. Optoelectron. Avd. Mater., 1 (2), 15 (1999)
- И.И. Бурдиян, В.В. Косюк, Р.А. Пынзарь, А.В. Чебан. Вестн. Приднестров. ун-та, 3, 44 (2005)
- И.В. Фекешгази, К.В. Май, Н.И. Мателешко, В.М. Мица, Е.И. Бокач. ФТП, 39 (8), 986 (2005)
- И.С. Фещенко. Автореф. канд. дис. (Тирасполь, 2002)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (М., Наука, 1996) с. 41
- Оптические свойства полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1988) с. 93
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
