Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния

Нечитайлов А.А.¹, Астрова Е.В.¹, Кукушкина Ю.А.¹, Каменева С.Ю.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 февраля 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен и опробован простой неразрушающий метод определения площади внутренней поверхности, пористости, диаметра и плотности пор в макропористом кремнии со сквозными каналами. Пористость p находят из потери массы в процессе анодирования, площадь поверхности на единицу объема S_v - из массы двуокиси кремния, образующейся на поверхности пор в результате термического окисления. Приводятся соотношения для определения средних диаметра d и плотности пор N из полученных p и S_v. Проведены исследования удельной площади поверхности и пористости в зависимости от удельного сопротивления исходного n-Si в диапазоне rho=3-25 Ом · см в образцах с упорядоченной и самоорганизующейся решеткой макропор. Полученные значения лежат в диапазоне p=27-50%, S_v=2800-6000 см²/см³, d=1.9-6.5 мкм, N=1.4-10· 10⁶ см^-2 и согласуются с данными микроскопических исследований. PACS: 61.43.Gt, 81.05.Rm, 81.65.Mg

V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Wiley-VCH Verlag GmbH, 2002) p. 277
H.L. Maynard, J.P. Meyers. Small Fuell Cells 2000: 2nd Annual Small Fuel Cells and Battery Technologies for Portable Power Applications Int. Symp. (New Orleans)
L. Ohlsen. Extended Abstracts 4th Int. Conf. Porous Semiconductors --- Science and Technology, Cullera-Valenicia, Spain 14-19.03.2004, ed. by L. Canham, A. Nissiopoulou, V. Parkhutik, Abstract I-3
T. Pichonat, B. Gauthier-Manuel. J. Micromech. Microeng., 15, S179 (2005)
Т.Г. Плаченов, С.Д. Колесенцев. Порометрия (Л., Химия, 1988) с. 100
A. Halimaoui. Porous Silicon: material processing, properties and applications. In: Porous Silicon. Science and Technology. Winter school. Les Houches, 1994, ed. by J.C. Vial, J. Derrien (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Les Editions de Physique les Ulis, 1995) p. 38
Р. Бургер, Р. Донован. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: В.Н. Мордкович, Ф.П. Пресс] с. 99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель