Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B)
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1), (0) и (+1) формируют A0- и A+-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A0-зоне и A+-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии). PACS: 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Ee, 72.20.Fr
- P. Debye, E. Huckel. Phys. Zeitschrift, 24 (9), 185 (1923)
- Б.Н. Швилкин. УФН, 168 (5), 575 (1998)
- K. Norrish. Discussions of the Faraday Society, 18, 120 (1954)
- А.А. Веденов. Физика растворов (М., Наука, 1984)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
- S.M. Sze. Semiconductor Devices : Physics and Technology, 2nd ed. (N. Y., Wiley, 2001)
- А.Г. Забродский. ФТП, 14 (7), 1324 (1980)
- И.П. Звягин. ДАН СССР, 237 (1), 75 (1977)
- А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан, А. Моделли, В.В. Рыльков, Ю.Я. Ткач. Письма ЖЭТФ, 57 (10), 641 (1993)
- В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмексузян. ФТП, 24 (10), 1697 (1990)
- В.В. Супрунчик. ЖЭТФ, 110 (6(12) ), 2127 (1996)
- Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ФТП, 34 (10), 1270 (2000)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко. Изв. вузов. Физика, 45 (10), 70 (2002)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004)
- Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132 (2), 353 (1980)
- N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
- Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 40 (4), 400 (2006)
- Т.М. Лифшиц. ПТЭ, N 1, 10 (1993)
- Г. Бете, Э. Солпитер. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами (М., ГИФМЛ, 1961)
- J. Bethin, T.G. Castner, N.K. Lee. Sol. St. Commun., 14 (12), 1321 (1974)
- С.Л. Арутюнян. ФТТ, 47 (4), 581 (2005)
- A.G. Zabrodskii. Phil. Mag. B, 81 (9), 1131 (2001)
- Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
- А.П. Мельников, Ю.А. Гурвич, Л.Н. Шестаков, Е.М. Гершензон. Письма ЖЭТФ, 71 (1), 28 (2000)
- W. Schottky. Naturwissenschaften, 26 (52), 843 (1938)
- N.F. Mott. Proc. Camb. Phil. Soc., 34 (2), 568 (1938)
- Л.Б. Елфимов, П.А. Иванов. ФТП, 28 (1), 161 (1994)
- А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ФТП, 37 (6), 686 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
