Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства структур In/In₂Se₃

Ильчук Г.А.¹, Кусьнэж В.В.¹, Петрусь Р.Ю.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³, Украинец В.О.¹

¹Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 апреля 2006 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

PDF версия

Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In₂Se₃ гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In₂Se₃, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz

Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
И.В. Боднарь, Е.Ф. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75 (3), 84 (2005)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
G. Martin, R. Marques, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39 (1), 44 (2000)
S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
S.H. Wei, S.B. Tsang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
Д. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель