Вышедшие номера
Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-xGex из гидридов в вакууме
Орлов Л.К.1, Ивин С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомов Ge на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si и Ge в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана - порядка 2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt