Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-xGex из гидридов в вакууме
Орлов Л.К.1, Ивин С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомов Ge на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si и Ge в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана - порядка 2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt
- D.W. Greve. Mater. Sci. Engin., B18, 22 (1993)
- B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 48, 797 (1986)
- H. Hirayama, T. Tatsumi, A. Ogura, N. Aizaki. Appl. Phys. Lett., 51, 2213 (1987)
- Le Thanh Vinh, V. Aubry-Fortuna, Y. Zheng, D. Bouchier, C. Guedj, G. Hincelin. Thin Sol. Films, 294, 59 (1997)
- K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
- S.Y. Park, J. D'Arcy-Gall, D. Gall, J.A.N.T. Soares, Y.W. Kim, H. Kim, P. Desjardins, J.E. Greene, S.G. Bishop. J. Appl. Phys., 91, 5716 (2002)
- A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
- R. Chelly, T. Angot, P. Louis, D. Bolmont, J.J. Koulmann. Appl. Surf. Sci., 115, 299 (1997)
- C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
- Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ, 70 (6), 102 (2000)
- A. Santoni, J. Lancok, S. Loreti, I. Menicucci, C. Minarini, F. Fabbri, D. Della Sala. J. Cryst. Growth, 258, 272 (2003)
- Y. Pauleau, D. Tonneau. J. Appl. Phys., 91, 1553 (2002)
- H. Akazawa, Yu. Utsumi. J. Appl. Phys., 78, 2725 (1995)
- J.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue, P. McGaughea, E. Adams, R. Kontra. Appl. Phys. Lett., 67, 971 (1995)
- A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
- А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
- Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 40, 45 (2006)
- S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
- Hiroyuki Fujiwara, M. Kondo, A. Matsuda. J. Appl. Phys., 91, 4181 (2002)
- Y. Suda, N. Hosoya, D. Shiratori. J. Cryst. Growth, 237--239, 1404 (2002)
- T.R. Bramblett, Q. Lu, N.E. Lee, N. Taylor, M.A. Hasan, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995)
- D.J. Robbins, J.L. Glasper, A.G. Cullis, W.J. Leong. J. Appl. Phys., 69, 3729 (1991)
- Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
- A.M. Lam, Y.J. Zheng, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 73, 2027 (1998)
- Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. ФТП, 36, 199 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
