Дробно-дифференциальная кинетика переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках
Сибатов Р.Т.1, Учайкин В.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
В предыдущих наших работах получено выражение для временной зависимости переходного тока в аморфных полупроводниках при дисперсионном переносе, содержащее устойчивую плотность с характеристическим показателем, равным дисперсионному параметру alpha<1; концентрации избыточных носителей заряда выражены через дробно-устойчивые плотности с характеристическим показателем alpha. В настоящей работе получены обобщенные уравнения диффузии и дрейфа носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках для дисперсионного переноса. Главная особенность этих уравнений - наличие частной производной по времени дробного порядка alpha. Решения этих уравнений выражены через дробно-устойчивые плотности. При alpha-> 1 дробно-устойчивые распределения переходят в нормальные, а обобщенные уравнения переходят в обычные уравнения диффузии и дрейфа. Таким образом, дробно-дифференциальный подход позволяет описывать нормальный и дисперсионный перенос в рамках единой математической модели. PACS: 72.80.Ng, 72.20.Fr, 72.20.Dp
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Мир, 1984)
- G. Pfister. Phys. Rev. Lett., 33, 1474 (1974)
- M.E. Sharfe. Bull. Am. Phys. Soc., 18, 454 (1973)
- H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
- P.N. Rao, E.A. Schiff, L. Tsybeskov, P. Fauchet. Chem. Phys., 284, 129 (2002)
- Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Н.Н. Смирнова. ФТП, 36, 355 (2002)
- Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Ю.П. Пирятинский, Н.Н. Смирнова. ФТП, 37, 1244 (2003)
- Л.П. Казакова, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев. ФТП, 38, 1118 (2004)
- M. Silver, L. Cohen. Phys. Rev. B, 15, 3276 (1977)
- В.И. Архипов, А.И. Руденко, А.М. Андриеш, М.С. Иову, С.Д. Шутов. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах (Кишинев, 1983)
- T. Tiedje, A.W. Rose. Sol. St. Commun., 37, 49 (1981)
- В. Спир. В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
- В.И. Архипов, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 22 (4), 723 (1988)
- В.И. Архипов, В.Р. Никитенко. ФТП, 23, 978 (1989)
- В.В. Учайкин, Р.Т. Сибатов. ОППМ, 12, 540 (2005)
- V.V. Uchaikin, V.M. Zolotarev. Chance and Stability (Ultrech, The Netherlands, VSP, 1999)
- В.В. Учайкин. ЖЭТФ, 115 (6), 2113 (1999)
- Т. Тиджи. В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2. Электронные и колебательные свойства, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1988)
- В.В. Учайкин. ЖЭТФ, 124 [4(10)], 903 (2003)
- В.В. Учайкин. УФН, 173 (8), 847 (2003)
- Г.Г. Гусаров, Д.А. Коробко, В.А. Орлов, В.В. Учайкин. Уч. записки УлГУ, Сер. физ., вып. 6, 26 (1999)
- J.K.E. Tunaley. J. Appl. Phys., 43, 4783 (1972)
- В. Феллер. Введение в теорию вероятностей и ее приложения (М., Мир, 1967)
- I. Podlubny. Fractional Differential Equations (Academic Press, N. Y.--London, 1999)
- С.Д. Шутов, М.А. Иову, М.С. Иову. ФТП, 13, 956 (1979)
- R.G. Enck, G. Pfister. In: Photoconductivity and Related Phenomena (Elseiver, New York, 1976) ch. 7
- А.М. Дыхне, П.С. Кондратенко, Л.В. Матвеев. Письма ЖЭТФ, 80 (6), 464 (2004)
- V.M. Aroutiounian, M.Zh. Ghoolinian, H. Tributsch. Appl. Surf. Sci., 162--163, 122 (2000)
- Q. Gu, Q. Wang, E.A. Schiff, Y.-M. Li, C.T. Malone. J. Appl. Phys., 76, 2310 (1994)
- V.V. Uchaikin, R.T. Sibatov. Res. Rep. 4/04, NG1 4BU, Nottingham (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.