Изучены структурные и электрофизические свойства поликристаллических пленок Si_0.5Ge_0.5 толщиной 150 нм, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения при температурах 200-550^oC на подложках кремния, покрытых аморфными слоями оксинитрида кремния. Установлено, что пленки представляют собой смесь аморфной и поликристаллической фаз. Доля аморфной фазы уменьшается от ~50% в пленках, осажденных при 200^oC, до нуля в пленках, выращенных при 550^oC. Последующий отжиг при температуре 550^oC в течение 1 ч приводит к полной твердофазной кристаллизации всех пленок. Электронный транспорт носителей заряда в поликристаллических пленках реализуется по термоактивационному механизму, связанному с энергетическим барьером ~0.2 эВ на межзеренных границах. Понижение барьера при дополнительном отжиге пленок SiGe коррелирует с увеличением среднего размера зерен. PACS: 61.72.Mm, 72.80.Ng, 73.61.Le

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.