Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV (Часть I)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.
Представлены результаты экспериментального изучения анодного поведения кристаллов соединений AIIIBV в растворах электролитов. Получены зависимости напряжения начала порообразования от состава и уровня легирования полупроводника, состава и концентрации раствора электролита, кристаллографической ориентации анодируемой поверхности. Исследованы химические и фазовые составы продуктов реакций порообразования, образующихся в различных системах полупроводник-электролит. Изучена структура пористых слоев, возникающих в кристаллах GaAs, InP и GaP в водных и неводных растворах. Выявлены условия анизотропного распространения пор в этих кристаллах по направлениям <111>B и <111>A. Полученные результаты демонстрируют кардинальное отличие химических механизмов реакций порообразования от механизмов анодного травления соединений AIIIBV. PACS: 61.43.Gt, 68.43.-h, 81.05.Ea, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.40-z, 82.45.Jn, 82.65.+r
- A. Uhler. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956)
- А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцев, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 274 (1994)
- P. Shmuki, L.E. Erikson, D.J. Lockwood, B.F. Mason, J.W. Fraser, G. Champion, H.J. Lable. J. Electrochem. Soc., 146, 735 (1999)
- P. Shmuki, L. Santimacci, T. Djenizien, D.J. Lockwood. Phys. Status Solidi A, 182, 51 (2000)
- M.M. Faktor, D.J. Fiddyment, M.R. Taylor. J. Electrochem. Soc., 122, 1566 (1975)
- B.H. Eme, D. Vanmeakelbergh, J.J. Kelly. Adv. Mater., 7, 739 (1995)
- Г. Николис, И. Пригожин. Самоорганизация в неравновесных системах (М., Мир, 1979)
- H. Foll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, Ion M. Tigunyanu. Adv. Mater., 15, 183 (2003)
- A. Volance. Phys. Rev. B, 55, 9706 (1997)
- M. Rausches, H. Spohn. Phys. Rev. E, 64, 031 604 (2001)
- Woosuck Shin, Tetsuya Hikosaka, Won-Seon Seo, Hyung Seo Ahn, Nobuhiko Sawaki, Kunihito Koumoto. J. Electrochem Soc., 145, 2456 (1998)
- J. Carstensen, M. Christophersen, H. Foll. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 23 (2000)
- Г. Клопман. В кн.: Реакционная способность и пути реакций (М., Мир, 1977) с. 92
- Общая органическая химия (М., Химия, 1984) т. 6, с. 83
- В.Л. Берковиц, А.Б. Гордеева, В.А. Кособукин. ФТТ, 43 (6), 985 (2001)
- Е.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, Д.А. Винокуров, В.П. Улин, С.Г. Конников, М.В. Шишков, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (8), 1017 (2003)
- A.S. Shkolnik, A.A. Ankudinov, S.G. Konnikov et al. Proc. 11th Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia, 2003) p. 332
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
