Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A^IIIB^V (Часть I)

Улин В.П.¹, Конников С.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментального изучения анодного поведения кристаллов соединений A^IIIB^V в растворах электролитов. Получены зависимости напряжения начала порообразования от состава и уровня легирования полупроводника, состава и концентрации раствора электролита, кристаллографической ориентации анодируемой поверхности. Исследованы химические и фазовые составы продуктов реакций порообразования, образующихся в различных системах полупроводник-электролит. Изучена структура пористых слоев, возникающих в кристаллах GaAs, InP и GaP в водных и неводных растворах. Выявлены условия анизотропного распространения пор в этих кристаллах по направлениям <111>B и <111>A. Полученные результаты демонстрируют кардинальное отличие химических механизмов реакций порообразования от механизмов анодного травления соединений A^IIIB^V. PACS: 61.43.Gt, 68.43.-h, 81.05.Ea, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.40-z, 82.45.Jn, 82.65.+r

A. Uhler. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956)
А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцев, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 274 (1994)
P. Shmuki, L.E. Erikson, D.J. Lockwood, B.F. Mason, J.W. Fraser, G. Champion, H.J. Lable. J. Electrochem. Soc., 146, 735 (1999)
P. Shmuki, L. Santimacci, T. Djenizien, D.J. Lockwood. Phys. Status Solidi A, 182, 51 (2000)
M.M. Faktor, D.J. Fiddyment, M.R. Taylor. J. Electrochem. Soc., 122, 1566 (1975)
B.H. Eme, D. Vanmeakelbergh, J.J. Kelly. Adv. Mater., 7, 739 (1995)
Г. Николис, И. Пригожин. Самоорганизация в неравновесных системах (М., Мир, 1979)
H. Foll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, Ion M. Tigunyanu. Adv. Mater., 15, 183 (2003)
A. Volance. Phys. Rev. B, 55, 9706 (1997)
M. Rausches, H. Spohn. Phys. Rev. E, 64, 031 604 (2001)
Woosuck Shin, Tetsuya Hikosaka, Won-Seon Seo, Hyung Seo Ahn, Nobuhiko Sawaki, Kunihito Koumoto. J. Electrochem Soc., 145, 2456 (1998)
J. Carstensen, M. Christophersen, H. Foll. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 23 (2000)
Г. Клопман. В кн.: Реакционная способность и пути реакций (М., Мир, 1977) с. 92
Общая органическая химия (М., Химия, 1984) т. 6, с. 83
В.Л. Берковиц, А.Б. Гордеева, В.А. Кособукин. ФТТ, 43 (6), 985 (2001)
Е.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, Д.А. Винокуров, В.П. Улин, С.Г. Конников, М.В. Шишков, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (8), 1017 (2003)
A.S. Shkolnik, A.A. Ankudinov, S.G. Konnikov et al. Proc. 11^th Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia, 2003) p. 332

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель