Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A^IIIB^V (Часть II)

Улин В.П.¹, Конников С.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 июня 2006 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ химических и электрофизических процессов, развивающихся на межфазной границе полупроводник-электролит в условиях анодной поляризации. Показано, что при напряжениях начала порообразования на поверхности n-кристаллов A^IIIB^V возникают плотные хемосорбционные покрытия, а со стороны полупроводника формируется вырожденный инверсионный слой. При этом падение большей части приложенного напряжения в адсорбционном слое создает предпосылки для протекания реакций нуклеофильного замещения с участием хемосорбированных анионов и координационно-насыщенных атомов под поверхностью кристалла. Рассмотрены механизмы реализации этих реакций применительно к кристаллам со структурой сфалерита. На базе полученных представлений объясняются результаты экспериментальных исследований структур и составов пористых слоев в кристаллах A^IIIB^V, сформированных в различных электролитах при различных значениях поляризующего напряжения. PACS: 61.43.Gt, 68.43.-h, 81.05.Ea, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.40.-z, 82.45.-h, 82.65.+r

V.N. Bessolov, M.N. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)
V.L. Berkovts, V.P. Ulin, D. Paget, J.E. Bonet, T,V.L'vova, P. Charadia, V.M. Lantratov. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2528 (1998)
M.D. Pashley, K.W. Haberen, R.M. Feenstra. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1874 (1992)
H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Jap. J. Appl. Phys., 33, L1423 (1994)
W. Chen, M. Dumas, D. Kahn Mao. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1886 (1992)
Yia-Chung Chang, D.E. Aspens. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 896 (1990)
J.J. Kelly, J.E.A.M. Van den Meerakker, P.H.L. Notten, R.P. Tijburg. Phil. Techn. Rev., 44, 61 (1988)
Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1983) с. 76
Г. Клопман. В кн.: Реакционная способность и пути реакций (М., Мир, 1977) с. 66
Yia-Chung Chang, D.E. Aspens. Phys. Rev. B, 41, 12 002 (1990)
O.Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель