Вышедшие номера
Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe
Горкавенко Т.В.1, Зубкова С.М.2, Макара В.А.1, Русина Л.Н.2
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев-22, Украина
2Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости энергии актуальных экстремумов в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, а также энергий основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая-Валлера, а вклад линейного расширения решетки - через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергий уровней, межзонных переходов и температурных коэффициентов. Рассматриваются вопросы применимости полученных данных. PACS: 71.20.Nr