Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Константы деформационного потенциала глубокого примесного центра в полупроводниках с анизотропной валентной зоной
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия 
Поступила в редакцию: 22 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Изучено влияние деформации на состояние примесных центров с глубоким Gamma8-уровнем. К анализу расщепления уровней применяется модель короткодействующего потенциала примесного центра. Получены константы деформационного потенциала примесного центра как функции зонных констант и энергия глубокого уровня в случае сферического и несферического приближений для структуры валентной зоны. Численные расчеты констант деформационного потенциала выполнены для глубокого центра в GaAs и Ge. PACS: 71.55.-i, 71.20.Mq, 71.20.Nr, 81.40.Rs
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- И.В. Костин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова. ФТП, 27, 1743 (1993)
- А.В. Малышев, И.А. Меркулов, А.В. Родина. ФТТ, 40, 1002 (1998)
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766 (2004)
- Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 421 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
