Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Приготовление пленок ZnO : N методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии

Рогозин И.В.¹

¹Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные пленки ZnO : N получены методом радикально-лучевой геттерирующей эпитаксии. Свойства пленок исследованы с помощью рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, вторично ионной масс-спектроскопии и фотолюминесценции. В рентгеновских дифракционных спектрах образцов наблюдается узкий пик (002), что указывает на ориентацию пленок ZnO : N вдоль c-оси. Вторично ионная масс-спектроскопия показывает наличие азота в пленках ZnO. В спектре низкотемпературной фотолюминесценции ZnO : N наблюдается пик 3.31 эВ, предположительно экситона, связанного на нейтральном акцепторе - N_O. Посттермический отжиг пленок ZnO : N осуществлялся в атомарном кислороде. Обсуждается природа донорно-акцепторной 3.23 эВ и зеленой 2.56 эВ полосы фотолюминесценции. PACS: 61.10.Nz, 61.72.Ji, 68.37.Ps, 78.30.Fs, 78.55Et

D.C. Look, B. Claflin, Ya.I. Alivov, S.J. Park. Phys. Status Solidi A, 201, 2203 (2004)
U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Marko c. J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)
V.A. Kaprpina, V.I. Lazorenko, C.V. Lashkarev, V.D. Dobrowolski, L.I. Kopylova, V.A. Baturin, S.A. Pustovoytov, A.Ju. Karpenko, S.A. Eremin, P.M. Lytvyn, V.P. Ovsyannikov, E.A. Mazurenko. Cryst. Res. Technol., 39, 980 (2004)
S.Y. Myong, S.J. Baik, Ch.H. Lee, W.Y. Cho, K.S. Lim. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1078 (1997)
M. Hiramatsu, K. Imaeda, N. Horio, M. Nawata. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 669 (1998)
K. Minegishi, Y. Koiwai, K. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997)
H.W. Liang, Y.M. Lu, D.Z. Shen, Y.C. Liu, J.F. Yan, C.X. Shan, B.H. Li, Z.Z. Zhang, J.Y. Zhang, X.W. Fan. Phys. Status Solidi A, 202, 1060 (2005)
Y.R. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, H.W. White. J. Cryst. Growth, 216, 330 (2000)
V. Vaithianathan, Y.H. Lee, B.-T. Lee, S. Hishita, S.S. Kim. J. Cryst. Growth, 287, 85 (2006)
M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L1205 (1999)
K. Nakahara, H. Takasu, P. Fons, A. Yamada, K. Iwata, K. Matsubara, R. Hunger, S. Niki. J. Cryst. Growth, 237--239, 503 (2002)
J.G. Lu, L.P. Zhu, Z.Z. Ye, F. Zhuge, B.H. Zhao, D.W. Ma, L. Wang, J.Y. Huang. J. Mater. Sci., 41, 467 (2006)
D.C. Look, R.L. Jones, J.R. Sizelove, N.Y. Garces, N.C. Giles, L.E. Halliburton. Phys. Status Solidi A, 195, 171 (2003)
S.B. Zang, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 075 205 (2001)
A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 41, Suppl. 1, S1 (2004)
A.F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 61, 15 019 (2000)
X. Yang, G. Du, X. Wang, J. Wang, B. Liu, Y. Zhang, D. Liu, H.C. Ong, S. Yang. J. Cryst. Growth, 252, 275 (2003)
А.Н. Георгобиани. М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, Л.С. Лепнев, И.В. Рогозин. Неорг. матер., 37 (11), 1287 (2001)
D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, G. Cantwell. Appl. Phys. Lett., 81, 1830 (2002)
D. Wang, Y.C. Liu, R. Mu, J.Y. Zhang, Y.M. Lu, D.Z. Shen, X.W. Fan. J. Phys.: Condens. Matter., 16, 4635 (2004)
K. Tonke, Th. Gruber, N. Teofilov, R. Schonfelder, A. Waag, R. Sauer. Physica B, 308--310, 945 (2001)
S. Yamauchi, Y. Goto, T. Hariu. J. Cryst. Growth, 260, 1 (2004)
C.H. Park, S.B. Zang, S.-H. Wei. Phys. Rev. B, 66, 073 202 (2002)
K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki. J. Cryst. Growth, 209, 526 (2000)
P.S. Xu, Y.M. Sun, C.S. Shi, F.Q. Xu, H.B. Pan. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 199, 286 (2003)
C. Simpson, J.F. Cordaro. J. Appl. Phys., 63, 1781 (1988)
M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, A.V. Marakhovsky. NATO Sci. Ser. II: Math., Phys. Chem., 194, 25 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель