Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия

Алешкин В.Я.¹, Востоков Н.В.¹, Гапонова Д.М.¹, Данильцев В.М.¹, Дубинов А.А.¹, Красильник З.Ф.¹, Корытин А.И.², Курицын Д.И.¹, Пряхин Д.А.¹, Шашкин В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование кинетики фотолюминесценции и отражения GaAs, содержащего кластеры Al. Время жизни фотоносителей в GaAs с кластерами Al в исследованных образцах было равно ~15 пс. Предложена простая модель для описания кинетики фотолюминесценции и коэффициента отражения. PACS: 71.55.Eq, 78.55.Cr

A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeout, D. Grischkowsky, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
K.G. Gan, J.W. Shi, Y.H. Chen, C.K. Sun, Y.J. Chiu, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 80, 4054 (2002)
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68, 55 (2004)
Н.В. Востоков, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Корытин, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39, 92 (2005)
R.T. Tung. Mater. Sci. Engin., R 35, 1 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель