Вышедшие номера
Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия
Алешкин В.Я.1, Востоков Н.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дубинов А.А.1, Красильник З.Ф.1, Корытин А.И.2, Курицын Д.И.1, Пряхин Д.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Проведено исследование кинетики фотолюминесценции и отражения GaAs, содержащего кластеры Al. Время жизни фотоносителей в GaAs с кластерами Al в исследованных образцах было равно ~15 пс. Предложена простая модель для описания кинетики фотолюминесценции и коэффициента отражения. PACS: 71.55.Eq, 78.55.Cr