Вышедшие номера
Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учетом вклада гетерограницы
Володин В.А.1, Ефремов М.Д.1, Якимов А.И.1, Михалёв Г.Ю.1, Никифоров А.И.1, Двуреченский А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Существенно уточнена методика определения состава и механических деформаций в квантовых точках GexSi1-x с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Параметр состава x определяется из анализа интенсивности пиков комбинационного рассеяния света на колебаниях связей Ge-Ge и Ge-Si, с учетом наличия связей Ge-Si на гетерогранице. Механические напряжения в квантовых точках определяются из анализа положения пиков комбинационного рассеяния света, с учетом полученных данных о составе квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 78.30.-j, 78.67.Hc