Исследовались спектральные зависимости продольной фотопроводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge. Был обнаружен фотоотклик структур Ge/Si с нанокластерами Ge в диапазоне 1.0-1.1 эВ при T=290 K, тогда как фототок от подложки монокристаллического Si без слоев Ge оказался значительно ослабленным. Такой результат может объясняться возникновением упругой деформации в структуре, влияющей на спектр оптического поглощения Si. Исследованные гетероструктуры обнаружили фоточувствительность при температуре ниже 120 K в спектральном диапазоне от 0.4 до 1.1 эВ, где монокристаллический Si является прозрачным. Фототок в этом диапазоне, возможно, обусловливается дырочными переходами из основных состояний, локализованных в квантовых точках, в делокализованные состояния валентной зоны. PACS: 73.63.Kv, 73.50.Pz, 78.67.Hc

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.