Формирование и оптические свойства наночастиц CuInTe2 в силикатной матрице
Боднарь И.В.1, Гурин В.С.2, Соловей Н.П.1, Молочко А.П.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 20 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Изучены условия образования наночастиц CuInTe2 в силикатных матрицах методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии. Формирование частиц полупроводниковой фазы размером от 15 до 30 нм происходит на стадии охлаждения расплавов и существенно зависит от состава стеклянной матрицы. Изучено оптическое поглощение в ИК- и видимой областях спектра, а также влияние дополнительной термообработки на формирование и оптические свойства наночастиц. Изменения оптических спектров объясняются возможным изменением типа кристаллической решетки сформированных наночастиц. PACS: 61.46.Df, 71.20.Nr, 78.67.-n
- A.D. Yoffe. Adv. Phys., 50, 1 (2001)
- И.П. Суздалев. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., КомКнига, 2006)
- А.Л. Строюк, А.И. Крюков, С.Я. Кучмий, В.Д. Походенко. Теорет. и эксперим. химия, 41, 67 (2005)
- Nanoscale materials in chemistry, ed. by K.J. Klabunde (Wiley-Interscience, N.Y. etc. 2001)
- Semiconductor Quantum Dots: Physics, Spectroscopy and Applications, ed. by Y. Masumoto, T. Takagahara (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2002)
- M.H. Yukselici. J. Phys. Condens. Matter, 14, 1153 (2002)
- A.V. Gomonnai, Yu.M. Azhniuk, V.V. Lopushansky, I.G. Megela, I.I. Turok, M. Kranj\^cec, V.O. Yukhymchuk. Phys. Rev. B, 65, 245 327 (2002)
- Н.В. Боднарь, М.С. Бродин, Г.М. Тельбиз. ФТП, 40, 962 (2006)
- U. Woggon, S.V. Gaponenko. Phys. Status Solidi B, 189, 285 (1995)
- П.М. Валов, В.И. Лейман. ФТТ, 47, 2060 (2005)
- М.И. Васильев, Д.К. Логинов, В.В. Голубков. Физика и химия стекла, 3I, 927 (2005)
- И.В. Боднарь, А.П. Молочко, Н.П. Соловей, В.С. Гурин. Неорг. матер., 33, 23 (1997)
- И.В. Боднарь, А.П. Молочко, Н.П. Соловей. Неорг. матер., 22, 1226 (1993)
- И.В. Боднарь, А.П. Молочко, Н.П. Соловей. Неорг. матер., 36, 1527 (2000)
- Л.И. Гуринович, В.С. Гурин, В.А. Иванов, А.П. Молочко, Н.П. Соловей. ЖПС, 65, 387 (1998)
- В.С. Гурин, В.В. Свиридов, А.С. Ляхов, Е.А. Тявловская, К.Н. Каспаров. ЖНХ, 41, 5 (1996)
- V.S. Gurin. Colloids Surf., A 142, 35 (1998)
- H. Grisaru, O. Palchik, A. Gedanken, V. Palchik, M.A. Slifkin, A.M. Weiss. Inorg. Chem., 42, 7148 (2003)
- S.-H. Choi, E.-G. Kim, T. Heyon. J. Amer. Chem. Soc., 128, 2520 (2006)
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968) с. 152
- И.В. Боднарь, И.А. Забелина. ЖПС, 60, 320 (1994)
- Л.Л. Казмерски, С. Вагнер. В кн.: Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988) с. 62
- Wide-Gap Chalcopyrites ed. by S. Siebentritt, U. Rau (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2006)
- F.J. Pern, R. Noufi, A. Mason, A. Franz. Thin Sol. Films, 202, 1299 (1991)
- J. Vedel, L. Thouin, D. Lincot. J. Electrochem. Soc., 143, 2173 (1996)
- N. Yamamoto, S. Ishida, H. Horisaka. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 1780 (1989)
- J.J.M. Binsma, L.J. Giling, J. Bloem. J. Cryst. Growth, 50, 429 (1980)
- J. Alvarez-Garcia, B. Barcones, A. Perez-Rodriguez, A. Romano-Rodriguez, J.R. Morante, A. Janotti, Su-Huai Wei, R. Scheer. Phys. Rev. B, 71, 054 303 (2005)
- И.В. Боднарь, В.С. Гурин, А.П. Молочко, Н.П. Соловей, П.В. Прокошин, К.В. Юмашев. ЖПС, 67, 350 (2000)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979) с. 165
- Physics of Ternary Compounds. Landolt-Boernstein, New Series, Group III, V. 17-h. 1985 (Springer-Verlag, Berlin) p. 47
- А.А. Аппен. Химия стекла. (Л., Химия, 1974) с. 354
- С.А. Кутолин, А.И. Нейч. Физическая химия цветного стекла (М., Стройиздат, 1988)
- J.R. Hendrikson, P.J. Bray. Phys. Chem. Glasses, 13, 43 (1972).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.