Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 2 » Статья стр. 220
<<<>>>
Влияние оже-рекомбинации на тепловую стабильность мощных высоковольтных полупроводниковых диодов
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Фрейдлин А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
PDF версия
Предложена аналитическая модель, позволяющая учесть влияние оже-рекомбинации на положение точек инверсии на вольт-амперной характеристике высоковольтных полупроводниковых диодов. Показано, что оже-рекомбинация не только изменяет положение точек инверсии на вольт-амперных характеристиках диодов, но также меняет число возможных точек инверсии в структурах. Поскольку существование и положение точек инверсии в значительной мере определяют тепловую стабильность диодов, особенно в режиме ударных токов, предсказания модели представляются важными с практической точки зрения. Для проверки выводов аналитической модели проведен численный эксперимент с помощью программы "Исследование". Результаты численных расчетов полностью согласуются с выводами аналитической модели. PACS: 65.40.-b, 85.30.De, 85.30.Kk
  1. S.M. Sze. Physics of Semiconductor devices (N.Y., Wiley, 1981)
  2. M.S. Shur. Physics of Semiconductor devices (Englewood Cliffs, NJ, Prentice-Hall, 1990)
  3. B.J. Baliga. Modern Power Devices (N.Y., Wiley-Interscience, 1987).
  4. В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  5. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.S. Freidlin, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 21, 1244 (2006)
  6. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
  7. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, J.W. Palmour, R. Singh, K.G. Irvin, M. Das. Mater. Sci. Forum, 483--485, 973 (2005)
  8. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Sol. St. Electron., 50 (7--8), 1368 (2006)
  9. L.V. Davies. Nature. 194, 762 (1968)
  10. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990)
  11. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  12. Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева. ФТП, 16, 798 (1982)
  13. T.T. Mnatsakanov, L.I. Pomoptseva, V.B. Shuman. Sol. St. Electron., 41, 1871 (1997)
  14. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  15. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  16. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  17. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 702 (2002)
  18. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  19. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, ed. by M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinshtein (Singapore, World Scientific, 2006) v. 1, p. 227
  20. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  21. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  22. P.T. Landsberg, G.S. Kousik. J. Appl. Phys., 56, 1696 (1984)
  23. Расчет силовых полупроводниковых приборов, под ред. В.А. Кузьмина (М., Энергия, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme