Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
Астахова А.П.1, Безъязычная Т.В.2, Буров Л.И.3, Горбацевич А.С.3, Рябцев А.Г.3, Рябцев Г.И.2, Щемелев М.А.3, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 22 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
Для InAsSb/InAsSbP-диодных лазеров, генерирующих на длине волны 3.1-3.2 мкм, впервые определены скорости излучательной (включая переходы, индуцированные усиленной люминесценцией) и безызлучательной рекомбинации, внутренний квантовый выход люминесценции и матричный элемент для зона-зонных оптических переходов. Установлено, что вклад безызлучательной рекомбинации в порог генерации может составлять 97%. Внутренний квантовый выход люминесценции для соединения InAs0.97Sb0.03 не превышает трех процентов. Вероятнее всего, безызлучательный канал формируется с участием оже-рекомбинации с константой C=4.2· 10-38 м6·с-1 (T=77 K). Исследованные образцы излучателей характеризуются относительно малыми оптическими потерями rho=900 м-1 и внутренним квантовым выходом генерации на уровне 0.6. Оцененное по скорости излучательной рекомбинации спонтанное время жизни неравновесных носителей заряда равно 6· 10-8 с, что согласуется с известными литературными данными. PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh
- А.П. Данилова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 243 (1999)
- А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, С. Цивиш, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (12), 1469 (1999)
- А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 36 (5), 622 (2002)
- А.П. Астахова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 985 (2003)
- A. Joullie, P. Christol, A.N. Baranov, A. Vicet. Topics in Applied Physics: Solid-State Mid-Infrared Laser Sources, Berlin-Heidelberg: Springer Publisher, 89, 1 (2003)
- А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 30 (24), 26 (2004)
- А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39 (4), 497 (2005)
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 66 (12), 6030 (1989)
- В.А. Самойлюкович, В.П. Грибковский, В.К. Кононенко. Квант. электрон., 3 (9), 103 (1972)
- В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
- V.P. Gribkovskii. Prog. Quant. Electron., 19, 41 (1995)
- В.П. Грибковский, В.К. Кононенко, В.А. Самойлюкович. Квантовая электроника и лазерная спектроскопия: Основные каналы потерь энергии в инжекционных лазерах (Минск, 1971)
- В.К. Кононенко, В.П. Грибковский. ФТП, 10 (5), 1875 (1971)
- Методы расчета оптических квантовых генераторов, под ред. Б.И. Степанова, (Минск, Наука и техника, 1966) т. 1--4
- G. Lasher, F. Stern. Phys. Rev., 133, A553 (1964)
- В.К. Кононенко, В.П. Грибковский. ЖПС, 9 (5), 789 (1968)
- В.П. Грибковский, В.К. Кононенко, В.А. Самойлюкович. Внутренние параметры инжекционных лазеров и их экспериментальное определение (Минск, Ин-т физики НАН Беларуси, 1970)
- H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Phys., 32, 1768 (1999)
- 8.814 http:// www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/InAsSb/basic.html
- A.G. Ryabtsev, E.V. Lutsenko, G.I. Ryabtsev, G.P. Yablonskii, A.S. Smal, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status. Solidi C, 0 (1), 479 (2002)
- Г.И. Рябцев, А.С. Смаль. ЖПС, 70 (4), 490 (2003)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
- M. Takeshima. Phys. Rev. B, 30 (6), 3302 (1984)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16 (4), 592 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.