Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Магнитная восприимчивость твердых растворов Bi₂Te₃--Sb₂Te₃

Степанов Н.П.¹, Гильфанов А.К.¹, Иванова Л.Д.², Гранаткина Ю.В.²

¹Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
²Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 4 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована магнитная восприимчивость монокристаллов твердых растворов Bi₂Te₃-Sb₂Te₃, содержащих 0, 10, 25, 40, 50, 60, 65, 70, 80, 90, 99.5 и 100 мол% Sb₂Te₃, выращенных методом Чохральского. Магнитная восприимчивость кристаллов определялась при температуре T=291 K и ориентации вектора напряженности магнитного поля H параллельно (chi_||) и перпендикулярно (chi_normal) тригональной оси кристалла C₃. Обнаружена сложная концентрационная зависимость величины анизотропии магнитной восприимчивости chi_||/chi_normal. В кристаллах с концентрацией свободных носителей заряда p~ 5·10¹⁹ см^-3 анизотропия магнитной восприимчивости исчезает. Переход в изотропное магнитное состояние происходит при составах, отличающихся резким увеличением ширины оптической запрещенной зоны от 200 до 300 мэВ. PACS: 71.28.+d, 75.20.Ck, 75.30.Gw

Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ ( М., Наука, 1972)
M. Matyas. Czechosl. J. Phys., 8, 309 (1958)
R. Mansfield. Proc. Phys. Soc., 74, 599 (1960)
A. Van Itterbeek, N. Van Deynse, C. Herinckx. Physica, 32, 2123 (1966)
Л.В. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Ю.А. Сидоров. Неорг. матер., 35, 44 (1999)
В.И. Чечерников. Магнитные измерения (М., МГУ, 1963)
R. Sehr, L.R. Testardi. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1219 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель