Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 4 » Статья стр. 415
<<<>>>
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Si
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарева А.Б.1, Закс М.Б.2, Ситников А.М.2, Солодуха О.И.2
1Научно-исследовательский институт им. Скобельцына Московского государственного университета им. Ломоносова, Москва, Россия
2Научно-производственная фирма "Кварк", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
PDF версия
Пленки In2O3 : F (IFO) наносили на кристаллический кремний и стекло методом pyrosol. Исследовано влияние температуры и кислорода в процессе нанесения, а также последующих отжигов в различных средах на фотоэлектрические свойства структуры IFO/Si. Обнаружено, что IFO формирует выпрямляющий контакт к p-Si, позволяет получить высокое фотонапряжение Up=586 мВ и внутренний квантовый выход более 97% для структуры IFO/(pp+)Si, обладает низким (0.3-0.4 мОм·см) удельным сопротивлением. Увеличению Up способствует повышение температуры осаждения IFO, низкое содержание кислорода в газе-носителе и отжиг в аргоне с парами метанола. Сделан вывод о сильном влиянии кислорода на поверхность зерен IFO, а также переходного слоя на фотоэлектрические свойства структуры IFO/(pp+)Si. PACS: 84.60.Jt, 73.40.Ty, 73.61.-r, 78.66.-w, 85.30.De, 85.30.Hi
  1. M.A. Green. Solar Energy, 74, 181 (2003)
  2. A. Chaoui, R. Ardebili, J.C. Manifacier. Solar Cells, 14, 133 (1985)
  3. M. Taguchi, K. Kawamoto, S. Tsuge, T. Baba, H. Sakata, M. Morizane, K. Uchihashi, N. Nakamura, S. Kiyama, O. Octa. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 8, 503 (2000)
  4. A.G. Ulyashin, B. Eidelman, G. Untila, A. Chebotareva, T. Kost, B.R. Olaisen, E.S. Marstein, A. Holt, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson. Proc. 20th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Barselona, Spain, 2005) p. 1263
  5. G. Haacke. J. Appl. Phys., 47, 4086 (1976)
  6. C.G. Granqvist, A. Hultaker. Thin Sol. Films, 411, 1 (2002)
  7. A. Ulyashin, B. Eidelman, G. Untila, A. Chebotareva, T. Kost, A. Suphellen, A. Bentzen, A. Holt, E. Sauar. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1235
  8. K.V. Maydell, E. Conrad, M. Schmidt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 14, 289 (2006)
  9. C. Canizo, R. Lago, I. Pou, A. ElMoussaoui, A. Luque. Proc. 16th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Glasgow, UK, 2000) p. 1735
  10. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1199
  11. H. Kobayashi, T. Ishida, K. Nakamura, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 72, 5288 (1992)
  12. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 21th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Dresden, Germany, 2006) p. 1199
  13. H. Kobayashi, Y.-L. Liu, Y. Yamashita, J. Ivanco, S. Imai, M. Takahashi. Solar Energy, 80, 645 (2006)
  14. T. Feng, A.K. Ghosh, C. Fishman. J. Appl. Phys., 50, 4972 (1979)
  15. W.A. Badawy, H.H. Afify, E.M. Elgiar. J. Electrochem. Soc., 137, 1592 (1990)
  16. G. Untila, A. Osipov, T. Kost, A. Chebotareva, M Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha, A. Pinov. Proc. 17th Europ. Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion (Munich, Germany, 2006) p. 1793
  17. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005)
  18. C.N.R. Rao. Pure \& Appl. Chem., 66, 1765 (1994)
  19. M. Langlet. Thin Sol. Films, 389-- 399, 71 (2001)
  20. N. Romero, A. Bosio, V. Canevari, M. Terheggen, L. Vailant Roca. Thin Sol. Films, 431-- 432, 364 (2003)
  21. T. Maruyama, K. Fukui. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1705 (1990)
  22. T. Maruyama, T. Nakai. J. Appl, Phys., 71, 2915 (1992)
  23. S.P. Singh, A. Raza, A.K. Sharma, O.P. Agnihotry, L.M. Tewari. Thin Sol. Films, 105, 131 (1983)
  24. S.M. Rozati, T. Ganj. Renewable Energy, 29, 1665 (2004)
  25. T. Asikainen, M. Ritala, W.-M. Li, R. Lappalainen, M. Leskela. Appl. Surf. Sci., 112, 231 (1997)
  26. J.N. Avaritsiotis, R.P. Howson. Thin Sol. Films, 80, 63 (1981)
  27. Z. Ning, S. Cheng, F. Huang, Y. Bian, X. Luo. Mater. Sci. Eng., B90, 196 (2002)
  28. H. Kobayashi, H. Mori, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 77, 1301 (1995)
  29. C. Lee, K. Lim, J. Song. Sol. Energy Mater.: Solar Cells, 43, 37 (1996)
  30. W. Song, S.K. So, L. Cao. Appl. Phys. A, 72, 361 (2001)
  31. E. Shanthi, A. Banerjee, V. Dutta, K.L. Chopra, J. Appl. Phys., 53, 1615 (1982)
  32. T. Maruyama, K. Tabata. J. Appl. Phys., 68, 4282 (1990)
  33. J. Shewechun, J. Dubow, C.W. Wilmsen, R. Singh, D. Burk, J.F. Wager. Appl. Phys., 50, 2832 (1979)
  34. H. Kobayashi, Y. Kogetsu, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 74, 4756 (1993)
  35. H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
  36. T. Ishida, H. Kouno, H. Kobayashi, Y. Nakato. J. Electrochem. Soc., 141, 1357 (1994)
  37. Т. Мосс, Г. Баррелл, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 90. [Пер. с англ.: T.S. Moss, G.J. Burrel, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics (Butterworth \& Co. (Publishers) Ltd, 1973 )].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme