Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инфракрасные спектры пропускания фотолюминесцентных пленок оксидов с Si-, Ge-квантовыми точками, сформированных импульсным лазерным осаждением

Лисовский И.П.¹, Злобин С.А.¹, Каганович Э.Б.¹, Манойлов Э.Г.¹, Бегун Е.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 27 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучается состав фотолюминесцентных пленок низкоразмерных кремния и германия. Пленки оксидов кремния, германия и алюминия, содержащие Si-, Ge-квантовые точки, получены импульным лазерным осаждением. Измерены инфракрасные спектры пропускания в диапазоне волновых чисел 650-1400 см^-1 и спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ при комнатной температуре. Установлены взаимосвязи между условиями формирования пленок, их фотолюминесцентными свойствами и валентными колебаниями связей Si-O-Si, Ge-O-Ge, Al-O. PACS: 78.55.-m, 78.55.Ap, 78.67.Bf, 78.67.Hc

J. Robertson. Rep. Progr. Phys., 69, 327 (2006)
P.P. Ong, Y. Zhu. Physica E, 15, 118 (2002)
A.V. Sachenko, I.O. Sokolovsky, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov. Ukr. J. Phys., 51 (8), 800 (2006)
Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун. ФТП, 41 (2), 177 (2007)
I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, D.O. Mazunov, E.B. Kaganovich, I.M. Kizak, E.G. Manoilov. Ukr. J. Phys., 50 (6), 583 (2005)
Э.Б. Каганович, И.П. Лисовский, Э.Г. Манойлов, С.А. Злобин. ФТП, 40 (4), 449 (2006)
I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, G.I. Steblovskii. Thin Sol. Films, 213, 164 (1992)
J.-Y. Zhang, X.-M. Bao, Y.-H. Ye. Thin Sol. Films, 323, 68 (1998)
I.W. Boyd, J.B.L. Wilson. J. Appl. Phys., 53 (6), 4166 (1982)
A. Lehmann, L. Schumann, K. Huber. Phys. Status Solidi B, 117 (2), 689 (1983)
I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, H. Flietner, W. Fussel, E.G. Schmidt. J. Non-Cryst. Sol., 187, 91 (1995)
G. Perez, J.M. Sanz. Thin Sol. Films, 416, 24 (2002)
I.P. Lisovskii, A.G. Revesz, H.L. Hughes. Electronchem. Soc. Proc., 3, 133 (1996)
Инфракрасные спектры неорганических стекол и кристаллов, под ред. В.А. Флоринской (Л., Химия, 1972)
Ф.Л. Эдельман. Структура компонентов БИС (Новосибирск, Наука, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель