Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах

Данилов Л.В.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы основные процессы и механизмы оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковой гетероструктуре с глубокими квантовыми ямами InAs_0.84Sb_0.16/AlSb. Показано, что в достаточно узких квантовых ямах преобладает беспороговый процесс оже-рекомбинации с участием двух тяжелых дырок; а в широких квантовых ямах доминирует резонансный процесс с участием двух электронов. Определена область значений ширины квантовой ямы, при которых происходит максимальное подавление оже-рекомбинации в данной структуре (область подавления). При этом основным процессом безызлучательной рекомбинации остается пороговый процесс с участием двух электронов, вероятность которого на несколько порядков меньше, чем для беспорогового и резонансного механизмов. В свою очередь беспороговый механизм с участием двух электронов в исследуемой гетероструктуре полностью исключен из-за большого разрыва зоны проводимости (значительно больше ширины запрещенной зоны). Также произведена оценка интервала длин волн излучения, соответствующего области подавления. Показано, что рассчитанный интервал принадлежит среднему ИК-диапазону. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De

В.Н. Абакумов, И.В. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
G.G. Zegrya. In: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997)
Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998).
Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ФТП, 34, 464 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель