О пространственной симметрии возбужденных состояний в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке
Дымников В.Д.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
Определена пространственная симметрия возбужденных состояний в Gamma-точке полупроводников AIIIBV. Вычислен оптический матричный элемент, связывающий валентную зону с низшей возбужденной зоной симметрии Gamma8. Полученные результаты находятся в согласии с общепринятой зонной моделью AIIIBV в Gamma-точке. PACS: 61.50.Ah, 78.20.-e
- M. Cohen, T. Bergstresser. Phys. Rev., 141, 789 (1966)
- F. Pollak, C. Higginbotham, M. Cardona. Proc. Int. Conf. Semicond. Phys. (Kyoto, 1066) p. 20; Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников (Л., Наука, 1969) т. 1, с. 61
- В.Д. Дымников. ФТТ, 47 (4), 591 (2005)
- G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100 (2), 580 (1955)
- В.Д. Дымников. ФТТ. 43 (11), 1957 (2001)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102 (4), 1030 (1956)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
