Вышедшие номера
Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия
Стамов И.Г.1, Ткаченко Д.В.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
Поступила в редакцию: 14 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP2 n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.50.Pz