Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия

Стамов И.Г.¹, Ткаченко Д.В.¹

¹Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Поступила в редакцию: 14 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP₂ n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.50.Pz

А.Ю. Камерцель, Г.А. Кудинцева, И.Г. Стамов, Н.Н. Сырбу. ФТП, 19, 28 (1985)
И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. ФТП, 40, 1196 (2006)
R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
D.H. Seid. Appl. Phys. Lett., 18, 422 (1971)
А.А. Гуткин, Н. Мирзамахмудов, Д.Н. Наследов. ФТП, 8, 1888 (1974)
В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
S.M. Sze, C.R. Crowell, D. Kahng. J. Appl. Phys., 35, 2534 (1964)
Д. Велецкас, Р. Балтрамеюнас, Ю. Вайткус, И.В. Потыкевич, В.С. Коваль. ФТП, 9, 1752 (1975)
И.В. Потыкевич, А.В. Любченко, В.С. Коваль. Укр. физ. журн., 17, 607 (1972)
Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, А.П. Изергин, Е.А. Поссе, В.Н. Равич, Т.Ю. Рафиев, Н.Ф. Сильвестрова. ФТП, 6, 710 (1972)
В.Ф. Баранов, И.Г. Стамов. ЖПС, 29, 154 (1986)
V.V. Sobolev, N.N. Syrbu. Phys. Status Solidi B, 43, k87 (1971)
Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко. Электрон. техн., сер. 2, N 4, 68 (1973)
F. Stockmann. RCA Rev., 36, 499 (1975)
А.У. Шелег, В.П. Новиков. ФТТ, 24, 3508 (1982)
Н.Н. Сырбу, В.Э. Львин. ФТП, 25, 238 (1991)
N.T. Bagraev. Sol. St. Commun., 95 (6), 365 (1995)
А.С. Щеулин, А.К. Купчиков, А.Е. Андервакс, А.И. Рыскин. ФТП, 38, 72 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель