Вышедшие номера
Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si, формирующихся в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа
Филатов Д.О.1, Круглова М.В.1, Исаков М.А.1, Сипрова С.В.1, Марычев М.О.1, Шенгуров В.Г.2, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции гетероструктур GeSi/Si(001) с нанокластерами, формирующимися в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4, от условий роста. Установлено, что зарождение кластеров происходит по механизму Странски-Крастанова, однако при дальнейшем росте существенное влияние на их морфологию оказывают процессы коалесценции. Наблюдалось удвоение линий фотолюминесценции в нанокластерах, связанное с излучательной рекомбинацией в объеме кластеров, а также голубое смещение линий с увеличением времени роста, связанное с диффузией Si из подложки в объем кластеров. Определены условия получения однородных массивов нанокластеров, излучающих при комнатной температуре. PACS: 61.46.Bc, 61.46.Hk, 68.55.Jk, 78.66.Db, 78.67.Bf, 81.15.Hi