Вышедшие номера
Эмиссия электронов из многослойных ансамблей вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице n-GaAs
Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1, Егоров А.Ю.2, Жуков А.Е.2, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Методом адмиттанс-спектроскопии в структурах с барьером Шоттки проведено исследование эмиссии электронов из многослойных массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрицу n-GaAs (концентрация электронов n~2·1016 см-3). Установлено, что в области температур ниже ~70 K эмиссия электронов в диапазоне темпов 3·104-3·106 c-1 происходит путем термически активированного туннелирования через промежуточные виртуальные состояния. При увеличении числа слоев в массиве квантовых точек от 3 до 10 наблюдается уменьшение скорости эмиссии электронов. PACS: 73.21.La, 73.63.Kv