Вышедшие номера
Экситонные состояния и фотолюминесценция кремниевых и германиевых нанокристаллов в матрице Al2O3
Купчак И.М.1, Крюченко Ю.В.1, Корбутяк Д.В.1, Саченко А.В.1, Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Бегун Е.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Работа посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию излучательных процессов в нуль-мерных кремниевых и германиевых наноструктурах, состоящих из системы нанокристаллов Si или Ge, погруженных в матрицу оксида алюминия. Пленки Al2O3 с квантовыми точками Si, Ge получены методом импульсного лазерного осаждения. Измерены их спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий фотонов 1.4-3.2 эВ и времен релаксации фотолюминесценции 50 нс-20 мкс. Рассчитаны энергии связи экситонов и энергии излучательных экситонных переходов с учетом конечности высоты барьеров и поляризации гетерограницы. Рассчитаны также спектры экситонной фотолюминесценции с учетом эффекта квантово-мезоскопических флуктуаций и возможной немонотонной зависимости излучательного бесфононного времени жизни экситонов от размеров квантовых точек. Наблюдающееся согласие измеренных и рассчитанных спектров фотолюминесценции позволило подтвердить ее экситонную природу и определить параметры модели фотолюминесценции исследуемых наноструктур. PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv