Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль флуктуаций потенциала в энергетической структуре квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Проанализирована трансформация спектров фотолюминесценции, связанной с A+-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при изменении степени накачки и температуры. Показано, что в энергетической структуре системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с A+-центрами существенную роль играют флуктуации электростатического потенциала, которые приводят к перераспределению заряда в пространстве и образованию свободных дырок. PACS: 68.65.Fg, 73.21.Fg
- N.V. Agrinskaya, Yu.L. Ivanov, P.A. Petrov, V.M. Ustinov. Sol. St. Commun., 126 (7), 369 (2003)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- П.В. Петров, Ю.Л. Иванов, А.Е. Жуков. ФТП, 41 (7), 850 (2007)
- Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин. ФТП, 35 (5), 571 (2001)
- Н.С. Аверкиев, Ю.Л. Иванов, А.А.Красивичев, П.В. Петров, Н.И. Саблина, В.Е. Седов. ФТП, 42 (3), 322 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
