Вышедшие номера
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In--n-GaN от концентрации основных носителей заряда
Бессолов В.Н.1, Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In-n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N=5·1016-1·1018 см-3 основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N<= 8·1018 см-3 - туннелирование. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns