Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности
Улашкевич Ю.В.1, Каминский В.В.1, Голубков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm1+xS, лежащими внутри области гомогенности (0=<q x=<q0.17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см-1 в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см-1, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами 7F0-7F2 4f-электронов ионов Sm2+. PACS: 71.20.Eh, 71.20.Nr, 78.30.Hv
- В.В. Каминский, А.В. Голубков. ФТТ, 21, 2805 (1979)
- A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett., 25, 368 (1970)
- В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ, 43, 423 (2001)
- В.В. Каминский, Л.Н. Васильев. ФТТ, 50, 685 (2008)
- M.I. Nathan, F. Holtzberg, J.E. Smith, Jr., J.B. Torrance, J.C. Tsang. Phys. Rev. Lett., 34, 467 (1975)
- V. Zelezny, J. Petzelt, V.V. Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Sol. St. Commun., 72 (1), 43 (1989)
- В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев. ФТТ, 44, 1501 (2002)
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ (Л., Наука, 1973)
- Н.В. Шаренкова, В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев, Г.А. Каменская. ФТТ, 47, 598 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.