Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции
Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Голод С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. PACS: 71.55.Cn, 71.35.-y, 72.40.+w
- Г.И. Галкин. Тр. ФИАН, 128, 3 (1981)
- E. Yablonovich, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 49, 587 (1986)
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. ФТП, 38, 1043 (2004). [P.A. Borodovskii, A.F. Buldygin, A.S. Tokarev. Semiconductors, 38 (9), 1005 (2004).]
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. Микроэлектроника, 35 (6), 403 (2006)
- Б.В. Зубов, А.А. Маненков, В.А. Миляев, Г.Н. Михайлова, Т.М. Мурин, В.А. Санина, А.Ф. Сеферов. Тр. ФИАН, 100, 51 (1977)
- Э.Л. Нолле. Тр. ФИАН, 128, 65 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
