Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe

Атабаев И.Г.¹, Матчанов Н.А.¹, Хажиев М.У.¹, Пак В.¹, Салиев Т.М.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 4 августа 2009 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (D_ss). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний D_ss и содержанием германия в твердом растворе Si_1-xGe_x.

O. Nur, M. Willander, R. Turan, M.R. Sardela, G.V. Hansson, jr. Appl. Phys. Lett., 68, 1084 (1996)
G.D. Scott, M. Xiao, H.W. Jiang, E.T. Croke, E. Yablonovitch. Appl. Phys. Lett., 90, 032110 (2007)
М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 4, 270 (1996)
Zs.J. Horvath, M. Adam, I. Szabo, M. Serenyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
G. Ottaviani, K.N. Tu, J. W Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275. 285--287 и 395--397
H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель