Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
Егоров А.Ю.1, Гладышев А.Г.1, Никитина Е.В.1, Денисов Д.В.1, Поляков Н.К.1, Пирогов Е.В.1, Горбацевич А.А.1
1Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием (delta-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см2/B·с при концентрации электронов в канале 3.00·1012 и 3.36·1012 см-2 соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76.2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу.
- T.H. Windhorn, L.W. Cook, G.E. Stillmann. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3, 18 (1982)
- S. Nayak, M.-Y. Kao, A. Bross, S. Chen, Q. Wang, S. Hillyard, A. Ketterson, K. Decker, J. Delaney, K. Salzman. Int. Conf. Compound Semiconductor Manufacturing Technology, 2005 On-line Digest (TriQuint Semiconductor). www.gaasmatech.org/Digests/2005/2005papers/ 2.2.opdf
- W. Lu, K. Prasad, G.I. Ng, J.H. Lee, P. Lindstrom. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 159 (1998)
- P. Rudolph, Ch. Frank-Rotsch, U. Juda, St. Eichler, M. Scheffer-Czygan. Phys. Status Solidi C, 4, 2934 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук